测量功能
1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。
3、WD4000晶圆表面三维形貌测量设备提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。
4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。
WD4000晶圆表面三维形貌测量设备可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等，提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。非接触厚度、三维维纳形貌一体测量：集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。
应用场景
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。
部分技术规格
| 品牌 | CHOTEST中图仪器 |
| 型号 | ED4000 |
| 厚度和翘曲度测量系统 | |
| 可测材料 | 砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
| 测量范围 | 150μm~2000μm |
| 扫描方式 | Fullmap面扫、米字、自由多点 |
| 测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度 |
| 三维显微形貌测量系统 | |
| 测量原理 | 白光干涉 |
| 干涉物镜 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个) |
| 可测样品反射率 | 0.05%~100 |
| 粗糙度RMS重复性 | 0.005nm |
| 测量参数 | 显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数 |
| 膜厚测量系统 | |
| 测量范围 | 90um(n= 1.5) |
| 景深 | 1200um |
| 最小可测厚度 | 0.4um |
| 红外干涉测量系统 | |
| 光源 | SLED |
| 测量范围 | 37-1850um |
| 晶圆尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
| 晶圆载台 | 防静电镂空真空吸盘载台 |
| X/Y/Z工作台行程 | 400mm/400mm/75mm |
如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。
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