本篇文章给大家谈谈怎么理解耗尽层，以及耗尽层为什么变窄对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。
为什么高掺杂的半导体耗尽层窄 请详细说明 谢谢
由于掺杂浓度大，耗尽层单位面积内正负离子多，所以只需要相对较窄的耗尽层就能嫌尺建立起足够强的内电场来阻止多子的 *** 运动。
可理解为加上正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的原理，所以浓度高，建立起的耗尽层宽度也就窄了。
具体说明：电场强度=掺杂浓度*宽度（e=nd*w），电势差等于=电场强度*宽度，所以电势差等于掺杂浓度*宽度的平方，产生的电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。
扩展资料
半导体应用策略
半导体制冷技术已经广泛应用在医药领域中，工业领域中，即便是日常生活中也得以应用，所以，该技术是有非常要的发展前景的。
例如，将导体制冷技术用于现代的各种制冷设备中，诸如冰箱、空调等等，都可以配置电子冷却器。半导体冰箱就是使用了半导体制冷技术。在具体的应用中，可以根据不同客户的需要使用，以更好地满足客户的要求。
不同数量早迟的半导体制冷芯片，在连接的过程中可以根据需要采用并联的方式或串联的方式，放置在合适的位置就可以发挥作用。二十世纪50年代，前苏联开发了一种芹睁高小型模型冰箱，只有10升的容量，冰箱的体积非常小，使用便利。
参考资料
百度百科--半导体
为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层？
PN结中由于p区和竖悉n区的电子空穴发生中和，在结余岁乎中会形成耗尽区，PN结因此可以叫耗尽层；
由于PN结反向不导通，因此可以叫做阻挡层。
仅作雀悄参考。。
半导体物理中“空间电荷区”、“耗尽层”、“势垒区”三者的含义一样吗？
显然不一样。
这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的租雹卜地方，空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度弊穗的区域，而耗尽层则相反。势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配肆李后形成势垒的区域。
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