它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通;TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互连,实现芯片之间互连的最新技术。
TSV也是继线键合(Wire Bonding)、TAB和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技术。
TSV的显著优势:TSV可以通过垂直互连减小互联长度,减小信号延迟,降低电容/电感,实现芯片间的低功耗,高速通讯,增加宽带和实现器件集成的小型化。
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