在CMP工艺的化学反应过程和机械去除过程这两个环节中, 受温度影响十分强烈。一般来说, CMP化学机械抛光液温度越高, 抛光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化学腐蚀严重, 表面完美性差。所以, 蓝宝石抛光液/研磨液温度必须控制在合适的范围内, 这样才能满足圆晶片的平坦化要求。实验表明, 抛光液在40℃左右的时候, 抛光速率达到了最大值, 随着温度继续升高, 抛光速率的上升趋于平缓, 并且产生化学机械抛光液蒸腾现象。
这是由于当温度过高时, CMP抛光液的蒸腾使部分水分被蒸发出来, 从而增大了抛光液的浓度, 并使其粘性增加, 且在抛光垫上的扩展度变小, 阻碍了系统内的物质传输, 从而阻碍了抛光速率的增高; 同时, 较高的温度使化学反应速率加快, 令蓝宝石晶片表面出现不均匀雾状腐蚀等过腐蚀现象, 从而影响晶片的表面完美性。
吉致电子科技为半导体行业/光学行业调配的蓝宝石研磨液/蓝宝石LED衬底抛光液/Sapphire Slurry组合浆料，适用于蓝宝石基片、外延片、LED的平坦化加工。设计满足从研磨到CMP的衬底制造的各个工艺阶段的规范，在蓝宝石基片抛光应用中提供了高性能和低成本的解决方案。
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